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发布日期:2024-07-04 作者:开云
科技日报合肥6月11日电(记者吴长锋)记者11日从安徽年夜学得悉,该校王守国传授团队实现了外延应力下超薄反铁磁多层膜中垂直互换偏置的全电学调控。相干研究功效日前颁发在《天然 通信》上。
互换偏置效应发源在铁磁/反铁磁界面处的互换彼此感化,表现为磁滞回线沿外磁场标的目的的偏移。其在具有垂直磁各向异性的多层膜系统中的有用调控,对构建高密度、高速度和高能效的新型磁存储和逻辑器件具有主要意义。
作为传统的调控手段,经由过程“场冷进程”实现钉扎标的目的的从头取向需要外磁场介入,并晋升器件温度,晦气在现实利用。而经由过程电流驱动互换偏置的翻转则成为加倍抱负的手段。但此前在具有垂直磁各向异性的多层膜系统中,该进程始终依靠在外磁场。是以,若何实现互换偏置效应的“全电学调控”就成为基在反铁磁多层膜系统构建新型自旋电子学器件的要害问题之一。
基在此,王守国传授团队操纵超高真空份子束外延系统,成功制备具有垂直磁各向异性的单晶外延多层膜。该系统在反铁磁层厚度仅为2纳米时仍具有较强的室温互换偏置效应。另外,研究团队经由过程多种晶体布局表征手艺手段并连系微磁学摹拟揭露了单晶层中外延应力的各向异性,是在室温下构成较强互换偏置效应的首要缘由,并以此为根本进一步优化样品布局,实现了垂直互换偏置效应的全电学调控。
据领会,这项研究工作为单晶薄膜材料的高质量制备打下了根本,在说明相干物理机制的同时,为电学调控反铁磁多层膜材料和器件的要害开云体育app特征供给了可行的手艺方案。
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